發光二極體結構及其製造方法

专利摘要:
一種發光二極體結構，包括：發光晶片以及導電支架。發光晶片具有多個發光二極體單元。導電支架具有電連接線路、與電性連接到電連接線路的至少一對電極，其中，發光二極體單元對向於電連接線路，且發光二極體單元經由電連接線路而彼此電性連接。多個發光二極體單元之間的電路連接關係可藉由外部的電連接線路而達成，能簡化製程並提昇良率。
公开号:TW201310730A
申请号:TW100130919
申请日:2011-08-29
公开日:2013-03-01
发明作者:Sheng-Chieh Tsai；Po-Jen Su；sheng-yuan Sun
申请人:Genesis Photonics Inc；
IPC主号:H01L2224-00

专利说明:
發光二極體結構及其製造方法
本發明是有關於一種光電元件結構及其製造方法，且特別是有關於一種發光二極體結構(Light Emitting Diode structure,LED structure)及其製造方法。
隨著發光二極體(Light Emitting Diode,LED)的技術發展，發光二極體已逐漸地取代傳統燈泡而被應用於照明領域。由於習知的發光二極體採用直流電驅動，所以只能應用於直流電驅動的環境；或者，需要使用交流-直流電源轉換器以及變壓器將市用交流電轉換成低壓直流電，才能夠提供給發光二極體使用。
然而，一般的市售用電均為110V/220V的交流電，因此，習知採用直流電的發光二極體存在著使用不方便的問題。承上述，有研究者發展了交流發光二極體(AC LED)或是高壓發光二極體(HV LED)，交流發光二極體無需額外的變壓器、整流器或驅動電路，直接使用交流電就可對交流發光二極體進行驅動，而高壓發光二極體(HV LED)，則無須轉換成低壓直流電，可使用一般直流電進行驅動，藉此減少變壓器所產生的能量損耗。
目前的交流/高壓發光二極體都是在尺寸相當微小的單晶片上形成發光二極體單元矩陣(LED unit matrix)以及內連線線路(metal interconnection)，利用內連線線路串聯或並聯多個發光二極體單元，以使交流/高壓發光二極體具備可調整電壓及電流之特性。但是，在單晶片上製作內連線線路的製程相當複雜，且在單晶片上製作內連線線路的製作過程中，常會發生內連線線路的斷線或接觸不良的問題。如此，會使得交流發光二極體的製作良率低、且交流/高壓發光二極體容易產生漏電現象。
有鑑於此，本發明提供一種發光二極體結構，能直接使用交流電或高壓直流電，具有良好的製作良率、且能夠降低漏電現象。
本發明提供一種發光二極體結構的製造方法，具有簡單的製程，能達到良好的製作良率、且能夠降低漏電現象。
本發明提出一種發光二極體結構，包括：發光晶片以及導電支架。發光晶片具有多個發光二極體單元。導電支架具有電連接線路、與電性連接到電連接線路的至少一對電極，其中，發光二極體單元對向於電連接線路，且發光二極體單元經由電連接線路而彼此電性連接。
本發明還提出一種發光二極體結構的製造方法，包括下列步驟。提供一發光晶片，發光晶片上形成有多個發光二極體單元。提供一導電支架，導電支架具有一電連接線路、與電性連接到電連接線路的至少一對電極。結合發光晶片與導電支架，其中，發光二極體單元對向於電連接線路，且發光二極體單元經由電連接線路而彼此電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的電連接線路包括：內連接線路以及外連接線路。內連接線路對應於發光二極體單元而設置，藉由內連接線路使發光二極體單元彼此電性連接。外連接線路設置於內連接線路之外側，藉由外連接線路而電性連接內連接線路與該對電極。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體單元具有(n x m)個、且以(n x m)陣列排列於發光晶片上，藉由電連接線路，使上述n行中、每一行的m個發光二極體單元彼此串聯成一發光二極體單元組，而成為n個發光二極體單元組，且所述n個發光二極體單元組之間彼此並聯，其中，n、m為大於1的自然數，n等於或不等於m。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體單元具有(n x m)個、且以(n x m)陣列排列於發光晶片上，藉由該電連接線路，使上述n行中、每一行的m個發光二極體單元彼此串聯成一發光二極體單元組，而成為n個發光二極體單元組，且所述n個發光二極體單元組之間彼此串聯，其中，n、m為大於1的自然數，n等於或不等於m。
在本發明的一實施例中，上述的電連接線路為惠斯同電橋(Wheatstone bridge)，使發光二極體單元彼此電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體結構更包括：一絕緣單元，設置在發光晶片上，絕緣單元區隔發光二極體單元，使發光二極體單元彼此電性絕緣。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體單元的一部分嵌入導電支架的電連接線路中。
在本發明的一實施例中，上述的每一發光二極體單元包括：第一接點以及第二接點，經由第一接點與第二接點使發光二極體單元電性連接到電連接線路。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體結構為覆晶式發光二極體結構，發光晶片與導電支架各自具有上表面與下表面，發光二極體單元設置於發光晶片的下表面，電連接線路設置於導電支架的上表面。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體結構更包括：外部電子裝置，發光二極體結構經由該對電極而連接到外部電子裝置。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體結構更包括：導電元件，設置於發光二極體單元與電連接線路之間。
基於上述，本發明的發光二極體結構將電連接線路製作在外部的導電支架上，利用外部的電連接線路來串聯、並聯發光晶片上的多個發光二極體單元。因此，在發光晶片的製程中無需同時製作電連接線路(內連線製程)，而能夠簡化發光晶片的製程。此外，以外部製作的電連接線路來取代內部連線，不易有斷線的現象，所以可有效地解決發光二極體結構的漏電問題。再者，採用上述的發光二極體結構，能夠根據客戶所需要的預定電壓或電流來進行電連接線路的設計，所以可使相同的發光晶片結合不同的導電支架之後，即能夠具有不同的預定電壓或電流。因此，上述的發光二極體結構可達到十分良好的產品相容性。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。 [發光二極體結構]
圖1為本發明較佳實施例的一種發光二極體結構的立體分解示意圖。請參照圖1，發光二極體結構100包括：發光晶片110以及導電支架120。發光晶片110具有多個發光二極體單元112(圖1中繪示四個)。導電支架120具有電連接線路122、與電性連接到電連接線路122的至少一對電極124a、124b。發光二極體單元112對向於電連接線路122，且發光二極體單元112經由電連接線路122而彼此電性連接。
請參照圖1，發光二極體結構100可為覆晶式(flip-chip)發光二極體結構，發光晶片110與導電支架120各自具有上表面US與下表面LS，發光二極體單元112設置於發光晶片110的下表面LS，電連接線路122設置於導電支架120的上表面US。藉由覆晶式發光二極體結構的設計方式，可更容易地結合發光晶片110與導電支架120。然而，發光二極體結構100並不限於覆晶式發光二極體結構，也可以是利用打線接合(wire bonding)的方式來電性連接發光晶片110與導電支架。
另外，發光二極體單元112的一部分可嵌入導電支架120的電連接線路122中。具體而言，請參照圖1，導電支架120可具有多個凹陷區域R，每一凹陷區域R分別對應每一發光二極體單元112，且電連接線路122設置於凹陷區域R中。由於每一發光二極體單元112的一部分可嵌入凹陷區域R中，所以可容易地進行發光晶片110與導電支架120之間的對準與結合，並可縮減發光二極體結構100整體的厚度。
如圖1所示的發光二極體結構100，發光晶片110上的多個發光二極體單元112之間的電性連接關係(如串聯、並聯及其組合)是由外部的導電支架120的電連接線路122而達成，在發光晶片110上並沒有製作電連接線路。藉此，可根據客戶所需求的預定電壓或電流，在外部的導電支架120上事先設置預定的電連接線路122。結果是，當結合發光晶片110與導電支架120之後，多個發光二極體單元112可按照電連接線路122之預定的電性連接關係而彼此串聯、並聯，使得發光二極體結構100得到上述預定電壓或電流。這樣的發光二極體結構100具有較佳的產品相容性，亦即，利用發光晶片110搭配具有所需的電連接線路122的導電支架120，即可得到所需要的預定電壓或電流。
另外，由於電連接線路122是製作在外部的導電支架120上，所以在發光晶片110的製程中無需同時製作電連接線路(內連線製程)，因此能夠簡化發光晶片110的製程。另外，將電連接線路122製作在外部的導電支架120上，於製作的過程中不易產生斷線，如此一來，可有效地解決習知的交流發光二極體的漏電現象，而能提昇發光二極體結構100的製作良率。以下，請繼續參照圖2～圖4，舉例說明上述發光晶片110的各種實施形態。
圖2為本發明較佳實施例的一種發光晶片的立體示意圖，圖2中還繪示發光晶片的仰視示意圖。請參照圖2，發光晶片110具有多個發光二極體單元112，圖2中繪示四個發光二極體單元112，但並不限於此。發光二極體單元112的數量可以根據設計需要而進行調整。
發光二極體結構110可包括：絕緣單元114，設置在發光晶片110上。絕緣單元114區隔多個發光二極體單元112，使發光二極體單元112之間彼此電性絕緣。絕緣單元114例如是設置在發光二極體單元112之間的十字狀溝渠。
每一發光二極體單元112可包括：第一接點112a以及第二接點112b，經由第一接點112a與第二接點112b使發光二極體單元112電性連接到電連接線路122(可同時參照圖1)。第一接點112與第二接點112b可嵌入到凹陷區域R內，以和電連接線路122電性連接。
圖3為本發明較佳實施例的一種發光晶片的多個發光二極體單元的排列示意圖。請參照圖3，發光二極體單元112具有(n x m)個、且以(n x m)陣列排列於發光晶片110上。藉由如圖1所示的電連接線路122，使上述n行中、每一行的m個發光二極體單元112彼此串聯成一發光二極體單元組112G，而成為n個發光二極體單元組112G，且所述n個發光二極體單元組112G之間彼此並聯，其中，n、m為大於1的自然數，n等於或不等於m。
舉例而言，當n等於2且m等於2時(n等於m)，發光晶片110具有4個發光二極體單元112、且發光二極體單元112以(2 x 2)陣列排列於發光晶片110上。藉由如圖1所示的電連接線路122，使上述兩行中、每一行的兩個發光二極體單元112彼此串聯成一發光二極體單元組112G，而成為兩個發光二極體單元組112G，且所述兩個發光二極體單元組112G之間彼此並聯。
另一個例子中，當n等於2、m等於3時(n不等於m)，發光晶片110具有6個發光二極體單元112，且發光二極體單元112以(2 x 3)陣列排列於發光晶片110上。藉由如圖1所示的電連接線路122，使上述兩行中、每一行的三個發光二極體單元112彼此串聯成一發光二極體單元組112G，而成為兩個發光二極體單元組112G，且所述兩個發光二極體單元組112G之間彼此並聯。上述的n、m可按照實際設計需要進行選擇，在此並不予以限定。
圖4為發光晶片的剖面結構示意圖，從圖4可看到兩個彼此電性絕緣的發光二極體單元、以及發光二極體單元與導電支架的電性連接方式。請參照圖4，發光晶片110例如是在非半導體基板S(例如藍寶石基板)上利用磊晶製程製作出多個發光二極體單元112(圖4中繪示兩個)。利用絕緣單元114(例如溝渠)使發光二極體單元112之間彼此電性絕緣。
值得注意的是，每一發光二極體單元112可包括：第一接點112a、第二接點112b、第一型摻雜半導體層112c(例如n型摻雜半導體層)、第二型摻雜半導體層112d(例如P型摻雜半導體層)、發光層112e。第一型摻雜半導體層112c配置於非半導體基板S上。發光層112e配置於第一型摻雜半導體層112c上。第二型摻雜半導體層112d配置於發光層112e上。亦即，發光層112e位於第一型摻雜半導體層112c與第二型摻雜半導體層112d之間。第一接點112a配置於第一型摻雜半導體層112c上，且與第一型摻雜半導體層112c電性連接。第二接點112b配置於第二型摻雜半導體層112d上，且與第二型摻雜半導體層112d電性連接。
可注意到，發光二極體結構100還可包括：導電元件130，設置於發光二極體單元112與電連接線路122之間。導電元件130可使用銀膠、導電凸塊、異方性導電膠等，設置在第一接點112a與電連接線路122之間、以及第二接點112b與電連接線路122之間，以良好地使發光二極體單元112與電連接線路122彼此電性連接。
另外，請再參照圖4，發光二極體結構100可更包括：外部電子裝置140，發光二極體結構100經由該對電極124a、124b而連接到外部電子裝置140。此外部電子裝置140可以是交流電源，供應預定的電壓給發光二極體結構100；或者是進一步調整發光二極體結構100的電子特性的電路；或者是控制發光二極體結構100的電路板等等，可根據設計需要使用適當的外部電子裝置140。也就是說，結合了發光晶片110與導電支架120的發光二極體結構100可視為一整體裝置而連接到外部電子裝置140，以對發光二極體結構100進行進一步的調整與控制。
以下，請參照圖5A，再舉例說明導電支架120的實施形態。圖5A為本發明較佳實施例的一種導電支架的立體示意圖，圖5A中還繪示導電支架的俯視示意圖。請同時參照圖1與圖5A，在導電支架120中，電連接線路122可包括：內連接線路122a以及外連接線路122b。內連接線路122a對應於發光二極體單元112而設置，藉由內連接線路122a使發光二極體單元112彼此電性連接。外連接線路122b設置於內連接線路122a之外側，藉由外連接線路122b而電性連接內連接線路122a與該對電極124a、124b。可從圖5看到，導電支架120中具有十字狀的突起，以進一步地配合發光晶片110的絕緣單元114(十字狀的溝渠)，能進行導電支架120與發光晶片110之間的良好對位。
從圖1與圖5A可看出，發光二極體單元112具有四個，形成(2 x 2)陣列排列。內連接線路122a可搭配第一接點112a與第二接點112b，使同一行的兩個發光二極體單元112彼此串聯，而形成兩個發光二極體單元組112G。接著，外連接線路122b可使兩個發光二極體單元組112G之間彼此並聯，亦即，在圖5A的實施例中，是以2串聯、2並聯式的電性連接方式來電性連接發光二極體單元112。相同的串聯、並聯方式已經於圖3進行說明。
圖5B為本發明較佳實施例的另一種導電支架的俯視示意圖。請同時參照圖2與圖5B，發光二極體單元112可具有(n x m)個、且以(n x m)陣列排列於發光晶片110上，n、m為大於1的自然數，n等於或不等於m。在此實施例中，n=2且m=2。
可注意到，如圖5B所示，藉由電連接線路122使上述2行中、每一行的2個發光二極體單元112彼此串聯成一發光二極體單元組，而成為2個發光二極體單元組，且所述2個發光二極體單元組之間彼此串聯。也就是說，在圖5B的實施例中，所有的發光二極體單元112可藉由電連接線路122進行全串聯式的電性連接。
另外，電連接線路122也可設計為惠斯同電橋(未繪示)，使多個發光二極體單元112彼此電性連接。在此並不限制電連接線路122的設計形態，只要符合所需的預定電壓或電流來設計電性連接方式即可。
綜上所述，發光二極體結構100將電連接線路製作在外部的導電支架上，利用外部的電連接線路來串聯、並聯發光晶片上的多個發光二極體單元。因此，能夠簡化發光晶片的製程、解決發光二極體結構的漏電問題、且能夠根據客戶所需要的預定電壓或電流來事先進行電連接線路的設計，可達到十分良好的產品相容性。 [發光二極體結構的製造方法]
圖6為本發明較佳實施例的一種發光二極體結構的製造方法的步驟流程圖。請參照圖6，發光二極體結構的製造方法200包括步驟S210～S230，並請同時參照圖1～圖5來理解發光二極體結構的製造方法200。
在步驟S210中，提供一發光晶片110，發光晶片110上形成有多個發光二極體單元112。在一實施例中，發光晶片110例如是在非半導體基板S上先形成絕緣單元114隔出多個區域後，再於各個區域利用薄膜沈積製程、微影製程等來形成發光二極體單元112。每一發光二極體單元112可具有：第一接點112a、第二接點112b、第一型摻雜半導體層112c(例如n型摻雜半導體層)、第二型摻雜半導體層112d(例如P型摻雜半導體層)、發光層112e。
在步驟S220中，提供一導電支架120，導電支架120具有一電連接線路122、與電性連接到電連接線路122的至少一對電極124a、124b。在一實施例中，可提供一基板，再利用薄膜沈積製程與微影蝕刻製程在該基板上形成電連接線路122與一對電極124a、124b，而完成導電支架120的製作。
在步驟S230中，結合發光晶片110與導電支架120，其中，發光二極體單元112對向於電連接線路122，且發光二極體單元112經由電連接線路122而彼此電性連接。再上述結合發光晶片110與導電支架120的過程中，可利用導電元件130(如銀膠、導電凸塊、異方性導電膠等)來確保得到良好的電性連接。
上述的步驟S210、S220可以互換順序，只要最後進行步驟S230來結合發光晶片110與導電支架120即可。至於發光晶片110與導電支架120的各種實施形態已經說明如上，在此即不予以重述。
綜上所述，本發明的發光二極體結構及其製造方法至少具有以下優點：
將電連接線路製作在外部的導電支架上，利用外部的電連接線路來串聯、並聯發光晶片上的多個發光二極體單元。因此，在發光晶片的製程中無需同時製作電連接線路，而能夠簡化發光晶片的製程。並且，在外部製作的電連接線路不易有斷線的現象，可有效地解決發光二極體結構的漏電問題。再者，能夠根據客戶所需要的預定電壓或電流來事先進行電連接線路的設計，可使發光晶片結合所需的導電支架而得到所需的預定電壓或電流，能夠達到十分良好的產品相容性。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．發光二極體結構
110．．．發光晶片
112．．．發光二極體單元
112a．．．第一接點
112b．．．第二接點
112c．．．第一型摻雜半導體層
112d．．．第二型摻雜半導體層
112e．．．發光層
112G．．．發光二極體單元組
114．．．絕緣單元
120．．．導電支架
122．．．電連接線路
122a．．．內連接線路
122b．．．外連接線路
130．．．導電元件
140．．．外部電子裝置
124a、124b．．．電極
200．．．發光二極體結構的製造方法
LS．．．下表面
R．．．凹陷區域
S．．．非半導體基板
S210～S230．．．步驟
US．．．上表面
圖1為本發明較佳實施例的一種發光二極體結構的立體分解示意圖。
圖2為本發明較佳實施例的一種發光晶片的立體示意圖，圖2中還繪示發光晶片的仰視示意圖。
圖3為本發明較佳實施例的一種發光晶片的多個發光二極體單元的排列示意圖。
圖4為發光二極體的剖面結構示意圖，從圖4可看到兩個彼此電性絕緣的發光二極體單元、以及發光二極體單元與導電支架的電性連接方式。
圖5A為本發明較佳實施例的一種導電支架的立體示意圖，圖5A中還繪示導電支架的俯視示意圖。
圖5B為本發明較佳實施例的另一種導電支架的俯視示意圖。
圖6為本發明較佳實施例的一種發光二極體結構的製造方法的步驟流程圖。
100．．．發光二極體結構
110．．．發光晶片
112．．．發光二極體單元
112a．．．第一接點
112b．．．第二接點
120．．．導電支架
122．．．電連接線路
124a、124b．．．電極
LS．．．下表面
R．．．凹陷區域
US．．．上表面

权利要求:
Claims (22)
[1] 一種發光二極體結構，包括：一發光晶片，具有多個發光二極體單元；以及一導電支架，具有一電連接線路、與電性連接到該電連接線路的至少一對電極；其中，該些發光二極體單元對向於該電連接線路，且該些發光二極體單元經由該電連接線路而彼此電性連接。
[2] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體結構，其中，該電連接線路包括：一內連接線路，對應於該些發光二極體單元而設置，藉由該內連接線路使該些發光二極體單元彼此電性連接；以及一外連接線路，設置於該內連接線路之外側，藉由該外連接線路而電性連接該內連接線路與該對電極。
[3] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體結構，其中，該些發光二極體單元具有(n x m)個、且以(n x m)陣列排列於該發光晶片上，藉由該電連接線路，使上述n行中、每一行的m個發光二極體單元彼此串聯成一發光二極體單元組，而成為n個發光二極體單元組，且所述n個發光二極體單元組之間彼此並聯，其中，n、m為大於1的自然數，n等於或不等於m。
[4] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體結構，其中，該些發光二極體單元具有(n x m)個、且以(n x m)陣列排列於該發光晶片上，藉由該電連接線路，使上述n行中、每一行的m個發光二極體單元彼此串聯成一發光二極體單元組，而成為n個發光二極體單元組，且所述n個發光二極體單元組之間彼此串聯，其中，n、m為大於1的自然數，n等於或不等於m。
[5] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體結構，其中，該電連接線路為惠斯同電橋，使該些發光二極體單元彼此電性連接。
[6] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體結構，更包括：一絕緣單元，設置在該發光晶片上，該絕緣單元區隔該些發光二極體單元，使該些發光二極體單元彼此電性絕緣。
[7] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體結構，其中，該些發光二極體單元的一部分嵌入該導電支架的該電連接線路中。
[8] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體結構，其中，每一發光二極體單元包括：一第一接點以及一第二接點，經由該第一接點與該第二接點使該些發光二極體單元電性連接到該電連接線路。
[9] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體結構，其中，該發光二極體結構為覆晶式發光二極體結構，該發光晶片與該導電支架各自具有一上表面與一下表面，該些發光二極體單元設置於該發光晶片的該下表面，該電連接線路設置於該導電支架的該上表面。
[10] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體結構，更包括：一外部電子裝置，該發光二極體結構經由該對電極而連接到該外部電子裝置。
[11] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體結構，更包括：一導電元件，設置於該些發光二極體單元與該電連接線路之間。
[12] 一種發光二極體結構的製造方法，包括：提供一發光晶片，該發光晶片上形成有多個發光二極體單元；提供一導電支架，該導電支架具有一電連接線路、與電性連接到該電連接線路的至少一對電極；以及結合該發光晶片與該導電支架，其中，該些發光二極體單元對向於該電連接線路，且該些發光二極體單元經由該電連接線路而彼此電性連接。
[13] 如申請專利範圍第12項所述的發光二極體結構的製造方法，其中，該電連接線路包括：一內連接線路，對應於該些發光二極體單元而設置，藉由該內連接線路使該些發光二極體單元彼此電性連接；以及一外連接線路，設置於該內連接線路之外側，藉由該外連接線路而電性連接該內連接線路與該對電極。
[14] 如申請專利範圍第12項所述的發光二極體結構的製造方法，其中，該些發光二極體單元具有(n x m)個、且以(n x m)陣列排列於該發光晶片上，藉由該電連接線路，使上述n行中、每一行的m個發光二極體單元彼此串聯成一發光二極體單元組，而成為n個發光二極體單元組，且所述n個發光二極體單元組之間彼此並聯，其中，n、m為大於1的自然數，n等於或不等於m。
[15] 如申請專利範圍第12項所述的發光二極體結構的製造方法，其中，該些發光二極體單元具有(n x m)個、且以(n x m)陣列排列於該發光晶片上，藉由該電連接線路，使上述n行中、每一行的m個發光二極體單元彼此串聯成一發光二極體單元組，而成為n個發光二極體單元組，且所述n個發光二極體單元組之間彼此串聯，其中，n、m為大於1的自然數，n等於或不等於m。
[16] 如申請專利範圍第12項所述的發光二極體結構的製造方法，其中，該電連接線路為惠斯同電橋，使該些發光二極體單元彼此電性連接。
[17] 如申請專利範圍第12項所述的發光二極體結構的製造方法，更包括：提供一絕緣單元，設置在該發光晶片上，該絕緣單元區隔該些發光二極體單元，使該些發光二極體單元彼此電性絕緣。
[18] 如申請專利範圍第12項所述的發光二極體結構的製造方法，其中，該些發光二極體單元的一部分嵌入該導電支架的該電連接線路中。
[19] 如申請專利範圍第12項所述的發光二極體結構的製造方法，其中，每一發光二極體單元包括：一第一接點以及一第二接點，經由該第一接點與該第二接點使該些發光二極體單元電性連接到該電連接線路。
[20] 如申請專利範圍第12項所述的發光二極體結構的製造方法，其中，該發光二極體結構為覆晶式發光二極體結構，該發光晶片與該導電支架各自具有一上表面與一下表面，該些發光二極體單元設置於該發光晶片的該下表面，該電連接線路設置於該導電支架的該上表面。
[21] 如申請專利範圍第12項所述的發光二極體結構的製造方法，更包括：提供一外部電子裝置，該發光二極體結構經由該對電極而連接到該外部電子裝置。
[22] 如申請專利範圍第12項所述的發光二極體結構的製造方法，更包括：提供一導電元件，設置於該些發光二極體單元與該電連接線路之間。

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